Plasma-power-driven recovery of dry-etch damage and barrier uniformity in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Plasma-power-driven recovery of dry-etch damage and barrier uniformity in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
- Date Crossref
- 01/11/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Kwangwoon University Department of Electronic Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronic Materials Engineering — Kwangwoon University.
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