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2026 article

Significant red-emission enhancement using column-top-exposed InGaN-based nanocolumn plasmonic crystals with honeycomb lattice

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Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Red emission remains a major bottleneck for practical full-color micro-light-emitting diodes (microLEDs) because the quantum efficiencies of InGaN decrease in the long-wavelength region. To enhance red emission, this study developed a honeycomb-latticed InGaN/GaN nanocolumn array integrated with an Ag-based plasmonic LED structure. Finite-difference time-domain simulations were used to optimize the lattice parameters, identifying a = 220 nm and D = 190 nm as the optimal geometries. This design provided an electric-field enhancement of approximately 4.5 at λ = 623 nm, indicating strong surface plasmon polariton coupling in the red region. A device fabricated with the same parameters exhibited up to a 6.3-fold photoluminescence enhancement under surface excitation, outperforming the 5.9-fold enhancement previously achieved under backside excitation. These results demonstrate that honeycomb-latticed plasmonic engineering is effective for boosting red emission in InGaN-based structures and offers a promising route to high-efficiency red microLEDs.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Significant red-emission enhancement using column-top-exposed InGaN-based nanocolumn plasmonic crystals with honeycomb lattice
Date Crossref
29/06/2026
Éditeur
AIP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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