Transition From Current Collapse-Limited to Capacitance-Limited Efficiency in GaN HEMTs via Field-Plate Engineering
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Transition From Current Collapse-Limited to Capacitance-Limited Efficiency in GaN HEMTs via Field-Plate Engineering
- Date Crossref
- 01/06/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Nanjing University of Aeronautics and Astronautics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Zhejiang Gongshang University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Aeronautics and Astronautics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Computer Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang Gongshang University et School of Aeronautics and Astronautics, avec 1 autre affiliation.
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