Oxide Semiconductor: Technology and Applications
Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Oxide semiconductors have recently gained significant attention as promising materials for next-generation memory architectures by enabling back-end-of-line (BEOL)-compatible logic and memory devices. This study reports recent progress and challenges in BEOL memory devices that utilize oxide semiconductor channels, including DRAM-like 1T-1C cells, capacitorless gain cells, and non-volatile Ferroelectric FETs. Key characteristics of oxide channels are analyzed, with a focus on advancements in materials and device process technology that improve essential memory metrics, such as endurance, retention and scalability. These findings offer valuable insights into the optimization of oxide semiconductor-based memory devices to address the demand of next-generation applications.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Oxide Semiconductor: Technology and Applications
- Date Crossref
- 06/12/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) D pays non établi dans la noticeEntreprise
D — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan).
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