Aller au contenu principal
2025 conference-paper

Cryogenic Performance Assessment of FD-SOI Transistors with Counter-Doped Channel

1Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
7Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : de, us, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We investigate the cryogenic performance of Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) transistors, focusing on devices featuring counter-doped channels. We explore counterdoping as a potential strategy to mitigate the increased threshold voltage at cryogenic temperatures, aiming to reduce power consumption. We extract key performance metrics such as threshold voltage, subthreshold swing, and other relevant parameters from cryogenic measurements, and compare them against conventional FD-SOI devices. Our results demonstrate that counter-doping enables effective threshold voltage control without compromising electrical performance, positioning it as a promising solution for ultra-low-power cryogenic CMOS optimization in scalable quantum computing applications.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Cryogenic Performance Assessment of FD-SOI Transistors with Counter-Doped Channel
Date Crossref
08/09/2025
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Forschungszentrum Jülich pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Flex (Germany) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • GlobalFoundries (Germany) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Center Nanoelectronic Technologies pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • GlobalFoundries (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • GlobalFoundries (United Kingdom) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • lich GmbH Forschungszentrum J&#x00FC pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • AdMOS GmbH pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Racyics GmbH pays non établi dans la notice
    Entreprise

Forschungszentrum Jülich, Flex (Germany) et GlobalFoundries (Germany), avec 7 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Advancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignQuantum and electron transport phenomenaSemiconductor materials and devices

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.