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2025 article

A 9.4-pA/√Hz Monolithically Integrated Optical Receiver Using Multidrive Noise Cancellation Technique in 45-nm CMOS SOI-Photonic Process

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Le résumé fourni par la source

This article proposes a low-noise monolithically integrated 80-Gbps PAM4 optical receiver using multidrive noise cancellation technique. The proposed receiver integrates a multidrive noise-canceling transimpedance stage (MDNC-TIS), a CML-based differential postamplifier, auxiliary analog loops, and a PD on a single chip. The proposed MDNC-TIS comprises a shunt-feedback transimpedance stage (SF-TIS) followed by a multidrive common-source (MD-CS) stage, which reduces transimpedance amplifier (TIA) noise through noise cancellation mechanism. Additionally, the MDNC-TIS demonstrates a gain enhancement which effectively mitigates the noise impact on postamplifier stages. The optical receiver is implemented in a 45-nm CMOS SOI-photonic process. Measurement results show that the realized TIA achieves 64.5 dB$\Omega $transimpedance gain and 28.5-GHz bandwidth with 9.4-pA/$\surd $Hz input-referred noise current density. The opto-electrical time-domain measurement results indicate that the implemented optical receiver chip achieves sensitivity of −9.64 dBm for 80 Gbps PAM4 signal at 2.4E–4 bit error rate (BER) with 0.9 A/W responsivity of PD.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
A 9.4-pA/√Hz Monolithically Integrated Optical Receiver Using Multidrive Noise Cancellation Technique in 45-nm CMOS SOI-Photonic Process
Date Crossref
01/02/2026
Éditeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Wuhan National Laboratory for Optoelectronics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Hubei Jiufengshan Laboratory pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Integrated Circuits and Wuhan Optoelectronics National Research Center pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Hubei Jiufengshan Laboratory et School of Integrated Circuits and Wuhan Optoelectronics National Research Center.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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