Aller au contenu principal
2025 conference-paper

Oxygen vacancy mobility and charge de-trapping in 6 nm HZO-based ferroelectric capacitors as a function of annealing temperature

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
0Institutions déclarées
0Pays d’affiliation déclarés
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Oxygen vacancy mobility and charge de-trapping in 6 nm HZO-based ferroelectric capacitors as a function of annealing temperature
Date Crossref
17/09/2025
Éditeur
The Japan Society of Applied Physics
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les sujets associés

Ferroelectric and Negative Capacitance DevicesFerroelectric and Piezoelectric MaterialsAdvanced Memory and Neural Computing

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.