Interfacial reactions between atomic layer deposited NiO x hole transport layers and metal halide perovskites in n-i-p perovskite solar cells
Rattachement africain : fr, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We observe defect formation at the metal halide perovskite (MHP)/ALD-NiO x interface, as revealed by HAXPES. Introduction of an organic buffer layer minimizes these defects, leading to improved device performance.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Interfacial reactions between atomic layer deposited NiO <sub> <i>x</i> </sub> hole transport layers and metal halide perovskites in n-i-p perovskite solar cells
- Date Crossref
- 01/01/2025
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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