2025 article

In-Situ Surface Energy Engineering for ALD-Derived Highly Reliable Top Gate In 2 O 3 Thin-Film Transistors

Jeong Eun Oh, Cheol Hee Choi, Taikyu Kim, Seong Hun Yoon, Jiwon Chae, Changik Im, Min Hee Cho, Pilsang Yun, Daewon Ha, Jae Kyeong Jeong

7Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

3Institutions déclarées

2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This study investigates the effects ofin-situsurface energy engineering applied prior to the deposition of the top gate dielectric on the electrical performance of In2O3TFTs. O2plasma treatment effectively reduces the interfacial trap density at the In2O3/gate dielectric interface, enhancing the overall device performance. Notably, In2O3TFTs subjected to an optimized oxygen plasma treatment duration of 3 sec exhibited significant improvements in electrical characteristics, including a high field-effect mobility of 84.3 cm²/V·s, a steep subthreshold swing of 76.8 mV/dec, and a minimal threshold voltage shift of 20 mV under rigorous bias temperature stress conditions (an electric field of 4 MV/cm at 85 °C for 3600 sec).

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref: In-Situ Surface Energy Engineering for ALD-Derived Highly Reliable Top Gate In <sub>2</sub> O <sub>3</sub> Thin-Film Transistors
Date Crossref: 01/11/2025
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type: journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Hanyang University Department of Electronic Engineering pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
Stanford University Department of Electrical Engineering pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
Samsung (South Korea) pays non établi dans la notice
Entreprise
Hwaseong Samsung Electronics pays non établi dans la notice
Organisation à but non lucratif

Department of Electronic Engineering — Hanyang University, Department of Electrical Engineering — Stanford University et Samsung (South Korea), avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesZnO doping and propertiesSemiconductor materials and devices

Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI