Surface improvement of high temperature annealed Si-doped AlGaN layers
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Surface improvement of high temperature annealed Si-doped AlGaN layers
- Date Crossref
- 01/12/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Universiti Sains Malaysia pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Ferdinand-Braun-Institut pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR) pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Universiti Sains Malaysia, Ferdinand-Braun-Institut et Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR).
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