Robust Overlay Control in 2-Level Semi-Damascene
Rattachement africain : nl. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This study investigates the overlay performance of a 2-level Ru semi-damascene integration using a Spacer-is-Dielectric (SID) SADP strategy to create 18 nm metal pitch Ru metal lines combined with fully self-aligned vias (FSAV). Furthermore, the impact of via overlay on FSAV electrical performance was experimentally assessed. Results show that ≤ 3 nm lot Mxblock-to-Mxoverlay residuals can be achieved using an SID-SADP approach with TiN as hard mask. Moreover, an >80% kelvin via yield could be obtained for a via y-overlay range of 10 nm and via x-overlay range of 11 nm, highlighting the FSAV process’s robustness for future interconnect scaling.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Robust Overlay Control in 2-Level Semi-Damascene
- Date Crossref
- 02/06/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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