Ga2O3 Vertical SBD With Suspended Field Plate-Assisted Shallow Mesa Termination for Multikilovolt and Ampere-Class Applications
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this work, a vertical gallium oxide (Ga2O3) Schottky barrier diode (SBD) with suspended field plate-assisted shallow mesa termination (SFPM-SBD) is proposed and fabricated. The suspended field plate is achieved by using Cl2 in the ICP etching process to facilitate isotropic etching of Ga2O3. Compared with shallow mesa SBD, the introduction of SFPM can further optimize the electric field (E_Field) distribution. Consequently, a high breakdown voltage (BV) of over 3.5 kV and a low specificon-resistance of 5.77 m$\Omega \cdot $cm2 are achieved, resulting in a power figure of merit (PFOM) >2.12 GW/cm2. Furthermore, the large-area device with$3\times 3$mm2 is fabricated, achieving a BV exceeding 1.5 kV and a high forward current of 12 A at 2 V. The simplified fabrication process of the SFPM-SBD, combined with its outstanding performance, makes it a promising candidate for multikilovolt and ampere-class applications.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Vertical SBD With Suspended Field Plate-Assisted Shallow Mesa Termination for Multikilovolt and Ampere-Class Applications
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
-
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Fuzhou University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Key Laboratory of Materials for High Power Laser pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
College of Physics and Information Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics et Fuzhou University, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.