Dynamic Flash Memory Operation Experimentally Validated with 65nm SOI Technology
Rattachement africain : be. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Dynamic Flash Memory (DFM) have been fabricated on 300 mm SOI wafers with 65 nm technology, experimentally validating a wide "1" and "0" margin for the first time. The proposed device operates exclusively with positive polarity signals, eliminating the need for negative voltages. Thanks to its unique split-gate structure, a long retention time of over 10 seconds at 85 ℃, and a robust Bit Line (BL) disturbance time of 10 ms with the BL stress voltage (VSBL) of 2.5 V are demonstrated.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Dynamic Flash Memory Operation Experimentally Validated with 65nm SOI Technology
- Date Crossref
- 18/05/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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IMEC pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Unisantis Electronics Singapore pays non établi dans la noticeInstitution
IMEC et Unisantis Electronics Singapore.
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