Mechanism for the fabrication of high-quality AlO x thin films grown at a low temperature of 350 °C by mist CVD
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Le résumé fourni par la source
Abstract It has been reported that the AlO x thin films with sufficient quality for practical use can be fabricated at low temperatures of ∼350 °C using mist CVD with a precursor of aluminum acetylacetonate Al(acac)3, a mixture solvent of MeOH + H2O, and assistance of O3. In this study, the influence of the solvent and oxygen source on the properties of AlO x thin films grown from Al(acac)3 as a precursor has been investigated and we also attempted to elucidate the mechanism that promotes the reaction responsible for the formation of high-quality films. As a result, we have found that substances generated in the solutions by the addition of H2O, presumably a penta-coordinated complexes containing OH groups, react efficiently with O3. This was thought to be the main growth mechanism of high-quality AlO x films.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Mechanism for the fabrication of high-quality AlO<sub> <i>x</i> </sub> thin films grown at a low temperature of 350 °C by mist CVD
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Kochi University of Technology Laboratory for Advanced Mist Deposition Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Canterbury Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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NOF Corporation (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Graduate School of Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Advanced Technology Research Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Laboratory for Advanced Mist Deposition Technology — Kochi University of Technology, Department of Electrical and Computer Engineering — University of Canterbury et NOF Corporation (Japan), avec 2 autres affiliations.
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