Synaptic Weight Cell Enabled by Ferroelectric FETs With Gate Side Charge Injection
Rattachement africain : us, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The ferroelectric field-effect transistor (FeFET) has been extensively studied as a synaptic weight cell due to its ability to tune conductance states via partial polarization switching, along with its energy efficiency and scalability. However, a significant challenge arises from the need for pulse amplitude modulation to achieve acceptable performance, which greatly complicates the peripheral circuitry. To address this issue, this paper proposes utilizing an FeFET with gate-side charge injection by incorporating a charge trap layer (CTL), such as SiNX, between the gate metal and the ferroelectric layer. This approach not only enhances the FeFET’s memory window, making it favorable for vertical NAND applications, but also increases the number of availableVTHstates through charge trapping in the CTL. Experimental results demonstrate the effectiveness of our design, showing substantial improvements over conventional FeFETs in both the number of intermediate states and the linearity of conductance tuning under identical pulse train, positioning it as a promising candidate for synaptic weight cells.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Synaptic Weight Cell Enabled by Ferroelectric FETs With Gate Side Charge Injection
- Date Crossref
- 01/07/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Notre Dame pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Samsung (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Samsung Pharm (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Pennsylvania State University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Samsung Electronics Company Ltd. Samsung Electronics Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
University of Notre Dame, Samsung (South Korea) et Samsung Pharm (South Korea), avec 3 autres affiliations.
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