2025 conference-paper

Dry resist characterization towards technology insertion for 28-36P EUV patterning

Yasiel Cabrera, Gopal Sankar Kenath, Yann Mignot, Brian Conerney, Indira P. Seshadri, Luciana Meli, Saumya Gulati, Cheng Lü, Phil Friddle, Nayan Chakravarty, Anuja De Silva, Rich S. Wise

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

2Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Dry resist characterization towards technology insertion for 28-36P EUV patterning
Date Crossref: 23/04/2025
Éditeur: SPIE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Albany Molecular Research (United States) pays non établi dans la notice
Entreprise
Lam Research (United States) pays non établi dans la notice
Entreprise
IBM Research Albany (United States) pays non établi dans la notice
Institution
Lam Research Corp. (United States) pays non établi dans la notice
Institution

Albany Molecular Research (United States), Lam Research (United States) et IBM Research Albany (United States), avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Advancements in Photolithography TechniquesIntegrated Circuits and Semiconductor Failure AnalysisCopper Interconnects and Reliability

Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI