Ga2Se3-based Ovonic Threshold Switching selector for high-density memory applications
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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ga2Se3-based Ovonic Threshold Switching selector for high-density memory applications
- Date Crossref
- 01/09/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shanghai Research Institute of Materials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shanghai University Materials Genome Institute pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology et Shanghai Research Institute of Materials, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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