A New Back‐End‐Of‐Line Ferroelectric Field‐Effect Transistor Platform via Laser Processing (Small 15/2025)
Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Field-Effect Transistors In article number 2406376, Wonjun Shin, Suraj S. Cheema, Daewoong Kwon, and co-workers demonstrates a breakthrough in ferroelectric field-effect transistor (FeFET) technology by integrating polycrystalline silicon channels via locally-confined laser thermal processing and hafnia-based ferroelectrics using low-temperature atomic layer deposition. The resulting BEOL-compatible FeFET platform achieves wafer-scale uniformity, record-high memory windows, and exceptional energy efficiency, paving the way for neuromorphic computing and monolithic 3D integration.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A New Back‐End‐Of‐Line Ferroelectric Field‐Effect Transistor Platform via Laser Processing (Small 15/2025)
- Date Crossref
- 01/04/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Hanyang University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Massachusetts Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sungkyunkwan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Seoul National University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Hanyang University, Massachusetts Institute of Technology et Sungkyunkwan University, avec 1 autre affiliation.
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