Microdosimetry of Very-High-Energy Heavy Ion Beams for Electronics Testing Using Silicon-on-Insulator Detectors
Rattachement africain : ch, au, no, nl, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This article explores the use of microdosimetry with a silicon-on-insulator (SOI) detector for characterizing very-high-energy (VHE) heavy ion beams used specifically for single event effect (SEE) testing of electronics. The detector was deployed at CERN’s heavy ion facility for radiation effects testing and exposed to lead ion beams in the 100–1000 MeV per nucleon kinetic energy range. The implications and possible benefits of using microdosimetry for SEE testing purposes are discussed.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Microdosimetry of Very-High-Energy Heavy Ion Beams for Electronics Testing Using Silicon-on-Insulator Detectors
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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