The Impact of Process Steps on Nearly Ideal Subthreshold Slope in 300-mm Compatible InGaZnO TFTs
Rattachement africain : be. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
While we demonstrate a back-gated (BG) amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide (a-IGZO) transistors with a nearly ideal subthreshold slope (SS)$\sim ~60$mV/dec. However, SS degrades when a top-gated (TG) configuration is implemented. The energy distribution of traps inferred from temperature-dependent (T =4 K - 300 K) and multi-frequency (f =1 kHz - 100 kHz) admittance measurements, reveals a much higher trap density in TG devices. By analyzing the impact of each process step and conducting forming gas anneal (FGA) experiments, we reveal the role of hydrogen in the deterioration of the SS in the IGZO-based transistors.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- The Impact of Process Steps on Nearly Ideal Subthreshold Slope in 300-mm Compatible InGaZnO TFTs
- Date Crossref
- 01/05/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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KU Leuven pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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IMEC pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Katholieke Universiteit Leuven Department of Physics and Astronomy pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
KU Leuven, IMEC et Department of Physics and Astronomy — Katholieke Universiteit Leuven.
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