Effect of gate oxide thickness on gate latent damage induced by heavy ion in SiC power MOSFETs
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effect of gate oxide thickness on gate latent damage induced by heavy ion in SiC power MOSFETs
- Date Crossref
- 01/04/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Institute of Modern Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Nuclear Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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State Key Laboratory of Heavy Ion Science and Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Nanjing Electronic Devices Institute pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Chinese Academy of Sciences, Institute of Modern Physics et University of Chinese Academy of Sciences, avec 3 autres affiliations.
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