Analysis and Implication of Electrothermal Effects in Emerging 3D Transistors and Integration Topologies with Two-Dimensional Semiconductors
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This work presents the first comprehensive electrothermal modeling and analysis of two-dimensional semiconductor (2DS) based emerging 3D transistor architectures including nanosheet field-effect transistors (NSFETs) and complementary FETs (CFETs). Using a multi-scale (from materials and interfaces to devices) simulation framework that accurately accounts for the enhanced thermal boundary resistance between 2D layered semiconductors and adjacent materials, our methodology establishes a foundational platform for analyzing the self-heating effect (SHE) and offers comprehensive design guidelines for optimizing the electrothermal and reliability performance of emerging 3D FETs and 3D integration topologies in advanced technology nodes.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Analysis and Implication of Electrothermal Effects in Emerging 3D Transistors and Integration Topologies with Two-Dimensional Semiconductors
- Date Crossref
- 07/12/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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