2024 conference-paper

Fully Subtractive Ru Topvia Interconnects with Minimum 9 nm-Space Airgap for RC Performance and Reliability Enhancement as Post-Cu Interconnects

Koichi Motoyama, Jihwan P. Choi, Huai Huang, C. Penny, Nicholas A. Lanzillo, J. Kim, Jeong‐Hoon Oh, Ga‐Eon Kim, J. Lee, Sung Soo Park, Taesoo Kim, S. Hosadurga, Darsith Jayachandran, Hao Zhang, S. Katakam, Gabriel A. Oyibo, Wei‐Tsu Tseng, Belle Antonovich, Nicholas Latham, W. Li, C.-C. Yang, Swapna Munnangi, Andrew H. Simon, Sheng-Ting Fan, John C. Arnold, T. Yamashita, K. Choi, K-I. Seo, D. Guo, H. Bu

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3Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Minimum 18 nm pitch fully subtractive self-aligned Ru Topvia interconnects with embedded airgap have been demonstrated. It has been confirmed that Ru Topvia interconnects with Topvia trimming process can improve dielectric breakdown voltage between vias and adjacent lines, which is essential for future CMOS technologies. Moreover, in comparison to conventional damascene Cu interconnects with low-k, Ru top via interconnects with airgap provided a clear advantage, exhibiting 23% lower capacitance. Furthermore, excellent TDDB performance on subtractive Ru interconnects with 9 nm-space airgap has been obtained and superior EM performance of Ru Topvia interconnects has been achieved.

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref: Fully Subtractive Ru Topvia Interconnects with Minimum 9 nm-Space Airgap for RC Performance and Reliability Enhancement as Post-Cu Interconnects
Date Crossref: 07/12/2024
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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