Sub-Nanometer Equivalent Oxide Thickness and Threshold Voltage Control Enabled by Silicon Seed Layer on Monolayer MoS2 Transistors
Rattachement africain : us, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Low-power transistors based on two-dimensional (2D) semiconductors require ultrathin gate insulators, whose atomic layer deposition (ALD) has been difficult without adequate surface preparation. Here, we achieve sub-1 nm equivalent oxide thickness (EOT) on monolayer MoS 2 using HfO 2 and a simple, commonly available Si seed. We first investigate six seed layer candidates (Si, Ge, Hf, La, Gd, Al 2 O 3 ) and find that only Si and Ge cause no measurable damage to the MoS 2 . With these, we build monolayer MoS 2 transistors using ALD of HfO 2 top-gate dielectric and find that the Si seed provides the better, low-hysteresis interface. The thickness of this interfacial layer also controls the threshold voltage, enabling normally-off, well-behaved transistors. The thinnest gate stack reached low EOT ≈ 0.9 nm with low leakage (<0.6 μA/cm 2 ) and ∼80 mV/dec subthreshold swing at room temperature. This represents a simple top-gate dielectric deposition approach, achievable within many common nanofabrication facilities.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Sub-Nanometer Equivalent Oxide Thickness and Threshold Voltage Control Enabled by Silicon Seed Layer on Monolayer MoS<sub>2</sub> Transistors
- Date Crossref
- 04/02/2025
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Stanford University Department of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Yonsei University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Institute for Basic Science Center for Nanomedicine pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Department of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
-
Department of Physics pays non établi dans la noticeInstitution
-
Department of Materials Science & Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
-
Department of Applied Physics pays non établi dans la noticeInstitution
Department of Electrical Engineering — Stanford University, Department of Physics — Yonsei University et Center for Nanomedicine — Institute for Basic Science, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.