Sensing Few Electrons Floating on Helium with High-Electron-Mobility Transistors
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Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Sensing Few Electrons Floating on Helium with High-Electron-Mobility Transistors
- Date Crossref
- 22/01/2025
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Princeton University Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sandia National Laboratories California pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Sandia National Laboratories pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Microsystems Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
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EeroQ Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
Department of Electrical and Computer Engineering — Princeton University, Sandia National Laboratories California et Sandia National Laboratories, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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