Surface quality improvement mechanism of ICP etching for Ga2O3 Schottky barrier diode
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Surface quality improvement mechanism of ICP etching for Ga2O3 Schottky barrier diode
- Date Crossref
- 01/03/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Fuzhou University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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College of Physics and Information Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Fuzhou University et College of Physics and Information Engineering.
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