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Accès ouvert déclaré 2024 article

Medium-scale flexible integrated circuits based on 2D semiconductors

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Rattachement africain : cn, cz. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Two-dimensional (2D) semiconductors, combining remarkable electrical properties and mechanical flexibility, offer fascinating opportunities for flexible integrated circuits (ICs). Despite notable progress, so far the showcased 2D flexible ICs have been constrained to basic logic gates and ring oscillators with a maximum integration scale of a few thin film transistors (TFTs), creating a significant disparity in terms of circuit scale and functionality. Here, we demonstrate medium-scale flexible ICs integrating both combinational and sequential elements based on 2D molybdenum disulfide (MoS2). By co-optimization of the fabrication processes, flexible MoS2 TFTs with high device yield and homogeneity are implemented, as well as flexible NMOS inverters with robust rail-to-rail operation. Further, typical IC modules, such as NAND, XOR, half-adder and latch, are created on flexible substrates. Finally, a medium-scale flexible clock division module consisting of 112 MoS2 TFTs is demonstrated based on an edge-triggered Flip-Flop circuit. Our work scales up 2D flexible ICs to medium-scale, showing promising developments for various applications, including internet of everything, health monitoring and implantable electronics. Flexible integrated circuits (ICs) based on 2D semiconductors hold promise for various applications, but their scale has so far remained limited to a low number of devices. Here, the authors report the fabrication of medium-scale flexible ICs integrating both combinational and sequential elements based on 2D MoS2 transistors.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Medium-scale flexible integrated circuits based on 2D semiconductors
Date Crossref
30/12/2024
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Institute of Physics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • National Laboratory for Superconductivity pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • FZU ‒ Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech Republic pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Songshan Lake Materials Laboratory pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • China North Vehicle Research Institute pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Physical Sciences pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Chinese Academy of Sciences, Institute of Physics et National Laboratory for Superconductivity, avec 5 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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