A D-band Power-Combined Stacked Common-Base Power Amplifier Achieving 20.9 dBm Psat and 24.3 % PAE in a 250-nm InP HBT Technology
Rattachement africain : be, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper presents a high-power high-efficiency stacked D-band power amplifier (PA) in a 250-nm HBT technology. The pseudo-differential PA is 2-way power-combined with a power combining network exhibiting a single-transformer footprint and a low loss by reflecting asymmetry leaking to the common mode. The presented PA has a saturated output power of 20.9 dBm and a peak power-added efficiency (PAE) of 24.3%. A small-signal gain of $\mathbf{1 4. 2} \mathbf{d B}$ is obtained with a 3-dB bandwidth of 19 GHz.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- A D-band Power-Combined Stacked Common-Base Power Amplifier Achieving 20.9 dBm P<sub>sat</sub> and 24.3 % PAE in a 250-nm InP HBT Technology
- Date Crossref
- 27/10/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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IMEC pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Kyungpook National University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
IMEC et Kyungpook National University.
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