Enabling 0.33NA EUV lithography patterning towards MP16 SADP semi-damascene metallization, setting the benchmark for High-NA EUV
Rattachement africain : be, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
To accommodate the A10 node a further scaling down of the metal line pitch towards MP16 is envisaged. As high NA will be close to its practical limit for direct P16 L/S patterning, low NA self-aligned double patterning (SADP) from P32 towards P16 was explored. First, lithography conditions such as source and stack were optimized by investigating process windows, uLER/uLWR and ebeam defectivity throughout the P32 core patterning process. Then, with the optimized lithography conditions a CDU wafer was subjected to SADP patterning.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Enabling 0.33NA EUV lithography patterning towards MP16 SADP semi-damascene metallization, setting the benchmark for High-NA EUV
- Date Crossref
- 12/11/2024
- Éditeur
- SPIE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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