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Accès ouvert déclaré 2024 preprint

Surface Characteristics Optimization During Wafer-Level Backside Silicon Removal for Soi Wafers in 3d Integration

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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Surface Characteristics Optimization During Wafer-Level Backside Silicon Removal for Soi Wafers in 3d Integration
Date Crossref
01/01/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
posted-content

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • National Yang Ming Chiao Tung University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • National Chiao Tung University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Taiwan Semiconductor Research Institute pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Independent - affiliation not provided to SSRN pays non établi dans la notice
    Institution

National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) et National Chiao Tung University, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesSilicon and Solar Cell TechnologiesIntegrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis

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