Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga2O3 grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy
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Le résumé fourni par la source
We present a study of Ge segregation at the surface of highly germanium-doped gallium oxide (2.5 × 1020 cm−3 nominal doping level) grown by molecular beam epitaxy. We probed the dopant concentration as a function of depth by hard x-ray photoelectron spectroscopy and standard laboratory photoemission spectroscopy. We notably found that there is germanium segregation within the top 2 nm where its concentration is 3 times the nominal doping level. This increased dopant concentration leads to a threefold enhancement of surface conductivity. The results suggest a reliable method for delta doping for power electronics applications.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga2O3 grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy
- Date Crossref
- 04/11/2024
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Centre National de la Recherche Scientifique pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Université Paris-Saclay CNRS pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CEA Paris-Saclay pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Wright-Patterson Air Force Base pays non établi dans la noticeInstitution
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U.S. Air Force Research Laboratory Materials and Manufacturing Directorate pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Azimuth (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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National Institute of Standards and Technology pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Material Measurement Laboratory Materials Measurement Science Division pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Azimuth Corporation 3 pays non établi dans la noticeInstitution
Centre National de la Recherche Scientifique, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives et CNRS — Université Paris-Saclay, avec 7 autres affiliations.
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