Atomic layer deposition of oxide semiconductor thin films for transistor applications: a review
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Silicon transistor miniaturization has hit a limit, constraining further semiconductor advancements. ALD-derived oxide semiconductors enable 3D vertical integration, providing a route to higher integration density without continued scaling down.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Atomic layer deposition of oxide semiconductor thin films for transistor applications: a review
- Date Crossref
- 01/01/2024
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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