A 24-30 GHz 6-Bit GaN HEMT Digital Attenuator for Millimeter-Wave Phased Array Systems
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Le résumé fourni par la source
A 24-30 GHz 6-bit digital attenuator for millimeter-wave phased array systems based on a 100-nm gallium-nitride-silicon (GaN-on-Si) technology, is presented. To improve insertion loss (IL) and attenuation accuracy, switched-π/T improved structures are employed in this design. The cascade sequence of the attenuation units is selected according to the influence of standing-wave characteristics. Experimental results show that the presented GaN-on-Si digital attenuator achieves a dynamic range of 31.5dB, incremented by 0.5dB. From 24 to 30 GHz, the IL is less than 4.9dB and the attenuation accuracy is better than 0.5dB, with the RMS attenuation error of less than 0.31dB. The return loss is better than -12.8dB in all states. The chip size is 2.31×0.76.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A 24-30 GHz 6-Bit GaN HEMT Digital Attenuator for Millimeter-Wave Phased Array Systems
- Date Crossref
- 16/05/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Guangdong University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Guangdong University of Technology.
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