2024 conference-paper

Cryogenic L-UTSOI model for 22nm pMOS FD-SOI, including stress effects

Miltiadis Alepidis, Sylvie Jarjayes, Thomas Bédécarrats, Sébastien Martinie, M. Cassé, Christian Witt, O. Rozeau

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Le résumé fourni par la source

In this paper, we explore the effect of mechanical stress on the electrical parameters, for the first time at cryogenic temperatures, using L-UTSOI 102.7 compact model. We update the model to ensure robustness and precision down to cryogenic temperatures and then we benchmark it with industrial 22nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (MOSFET) both at 300K and 4.2K. We observe the stress evolution with temperature through the extracted parameters of our model, which acts as a reference for the numerical mechanical simulations. The simulation provides with meaningful insights on device performance.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Cryogenic L-UTSOI model for 22nm pMOS FD-SOI, including stress effects
Date Crossref: 09/09/2024
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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Où se fait cette recherche

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Organisme public
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Entreprise
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Institution

Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information et Université Grenoble Alpes, avec 2 autres affiliations.

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