2024 conference-paper

Effect of Substrate Carrier Concentration on Conductivity Modulation in GaN

Shigeyoshi Usami, Hiroshi Ohta, Hirotaka Watanabe, Junichi Takino, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Shugo Nitta, Yoshio Okayama, Yoshio Honda, Tomoyoshi Mishima, Hiroshi Amano, Yusuke Mori

0Citations signalées — pas une note de qualité
0Institutions déclarées
0Pays d’affiliation déclarés
Résumé indisponible : les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits depuis son seul titre.

Contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Effect of Substrate Carrier Concentration on Conductivity Modulation in GaN
Date Crossref
04/09/2024
Éditeur
The Japan Society of Applied Physics
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsSemiconductor materials and devicesSemiconductor materials and interfaces
Consulter la publication primaire DOI

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Recherche à la demande dans Crossref et Europe PMC, sans clé ; OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant requis, aucune réponse conservée. Sources et limites.