Exploring AlGaInP for Use in Si Photomultiplier Analogs
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We present a materials study of AlGaInP grown on GaAs leveraging deep-level optical spectroscopy and time resolved photoluminescence. Our materials may serve as the basis for wide-bandgap analogs of silicon photomultipliers optimized for short wavelength sensing.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Exploring AlGaInP for Use in Si Photomultiplier Analogs
- Date Crossref
- 14/08/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Sandia National Laboratories pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Sandia National Laboratories.
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