A Metal Dual Work-Function Gate (MDWG) for the Continuous Scaling of DRAM Cell Transistors
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The current dual work function gate (DWFG), utilizing Poly Si, which is applied as a standard in conventional DRAM products, is facing the issue of an exponential increase in word line (WL) resistance. For the continuous scale-down of DRAM cell transistors, we have demonstrated, for the first time, a metal dual work function gate (MDWG) by replacing n+Poly Si with an Oxide/La (Lanthanum) /TiN structure in a fully integrated 1z-nm 16Gb DRAM. We confirmed a 40% improvement in retention time without an increase in WL resistance compared to the cell transistors with a single work function gate (SWFG).
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A Metal Dual Work-Function Gate (MDWG) for the Continuous Scaling of DRAM Cell Transistors
- Date Crossref
- 16/06/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Integrated Device Technology (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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DRAM TD pays non établi dans la noticeInstitution
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Device Solutions CTO pays non établi dans la noticeInstitution
Integrated Device Technology (United States), DRAM TD et Device Solutions CTO.
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