High-Performance Germanium P-I-N Photodiodes for High-Speed, Hard X-Ray Imaging
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Design, fabrication, and measurement of vertical Germanium (Ge) Photodiodes for high-speed, hard X-Ray imaging is presented. The devices used atmospheric-pressure epitaxial absorption layers, varying absorption layer thicknesses (10 – 245 μ m) over bulk-Ge substrates, fabricated in various sizes. Measurements include large-signal and transient-response from X-ray source between 6 keV and 28 keV. The results approach a 100% external quantum efficiency with 245 lm absorption regions and a 22% improvement in temporal response with 10μ m absorption region compared to an Si reference device of the same active area.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High-Performance Germanium P-I-N Photodiodes for High-Speed, Hard X-Ray Imaging
- Date Crossref
- 01/01/2024
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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