Over 2 GW/cm2 low-conduction loss Ga2O3 vertical SBD with self-aligned field plate and mesa termination
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this Letter, a Ga2O3 vertical Schottky barrier diode (SBD) with self-aligned field plate and mesa termination is fabricated and studied. The combination of field plate and mesa termination can effectively make the electric field distribution uniform in the termination, and thus the proposed SBD features high breakdown voltage (BV). Moreover, to eliminate alignment deviation and simplify the fabrication process, a self-aligned etching process is developed. The experimental results show that a low specific on-resistance of 4.405 mΩ·cm2 and a high BV of 3113 V can be simultaneously derived on the proposed SBD, yielding a high power figure of merit of 2.2 GW/cm2. Meanwhile, a considerably low forward voltage of 1.53 V at 100 A/cm2 is also achieved, demonstrating the low conduction loss of the device.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Over 2 GW/cm2 low-conduction loss Ga2O3 vertical SBD with self-aligned field plate and mesa termination
- Date Crossref
- 08/07/2024
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Fuzhou University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Songshan Lake Materials Laboratory pays non établi dans la noticeOrganisme public
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College of Physics and Information Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Research Center of Laser Crystal pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Fuzhou University, Chinese Academy of Sciences et Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, avec 3 autres affiliations.
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