Multi-tier die stacking through collective die-to-wafer hybrid bonding
Rattachement africain : be, us, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A collective die-to-wafer bonding flow is extended beyond the N=2 tier to the N=3 and N=4 tier by collectively bonding multiple layers of dies on top of a target wafer. The N=2 die-level is shown to be consistently free of bonding voids (bond yields close to 100%) with +99% die transfer yields. For the N=3 and N=4 die-levels, both the transfer yields and bonding yields are significantly lower. Both N=2 and N=3 stacks show similar die-to-target wafer alignment. A cross sectional SEM of a 5-micron pitch shows excellent alignment and connectivity between Die 1 and Die 2 (N=3).
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Multi-tier die stacking through collective die-to-wafer hybrid bonding
- Date Crossref
- 28/05/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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IMEC pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Brewer Science (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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SUSS MicroTec (Germany) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Inc Brewer Science pays non établi dans la noticeEntreprise
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SUSS MicroTec Lithography GmbH pays non établi dans la noticeEntreprise
IMEC, Brewer Science (United States) et SUSS MicroTec (Germany), avec 2 autres affiliations.
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