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2024 conference-paper

Development of PECVD SiN Thin Films for Integrated Photonic Applications on 300 mm Wafers

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4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Development of PECVD SiN Thin Films for Integrated Photonic Applications on 300 mm Wafers
Date Crossref
01/01/2024
Éditeur
Springer Nature Switzerland
Type
book-chapter

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Center Nanoelectronic Technologies pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Leibniz Institute for Solid State and Materials Research pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Technische Universität Dresden pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Integrated Photonic Devices Laboratory pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Center Nanoelectronic Technologies et Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Photonic and Optical DevicesThin-Film Transistor TechnologiesAdvanced Fiber Optic Sensors

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