Scaling Trends and Bias Dependence of SRAM SER from 16-nm to 3-nm FinFET
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
SRAM SER measurements show a decrease in per-bit susceptibility at the 3-nm FinFET node compared to the 5-nm FinFET node, contrary to the trend observed between the 7-nm and 5-nm FinFET nodes. Robust data across various supply voltages demonstrate a pronounced exponential bias influence on 3-nm FinFET SRAM SER, distinguishing it from earlier FinFET processes. Simulation and modeling attribute these trends to variations in$Q_{crit}$and$Q_{coll}$. These findings highlight that SER scaling trends in advanced FinFET processes do not necessarily align with the standard scaling trends observed in prior nodes.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Scaling Trends and Bias Dependence of SRAM SER from 16-nm to 3-nm FinFET
- Date Crossref
- 14/04/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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