High Capacitive Ratio Molybdenum-based RF MEMS Capacitive Shunt Switch using Reduced Fabrication Steps
Rattachement africain : in, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper presents the design and fabrication of a high-performance molybdenum-based capacitive Radio Frequency Micro-Electro-Mechanical-Systems (RF MEMS) shunt switch. Molybdenum offers high robustness against stress and temperature compared to gold. The measured results show that switches provide return loss better than 15.05dB, insertion loss less than 1.42 dB (Off state), and isolation better than 17.69dB during (On state) in Ka-band. The capacitive ratio achieved is 300, with a maximum pull-in voltage of 7.6V.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High Capacitive Ratio Molybdenum-based RF MEMS Capacitive Shunt Switch using Reduced Fabrication Steps
- Date Crossref
- 03/03/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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