Ferroelectric polarization of graphene/h-BN bilayer of different stacking orders
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ferroelectric polarization of graphene/h-BN bilayer of different stacking orders
- Date Crossref
- 01/03/2024
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Shanghai University Institute for Quantum Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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State Key Laboratory of Advanced Special Steel pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Nanjing Foreign Language School pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shanghai World Foreign Language Academy pays non établi dans la noticeInstitution
Institute for Quantum Science and Technology — Shanghai University, State Key Laboratory of Advanced Special Steel et Nanjing Foreign Language School, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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