Demonstration of bias scheme for ferroelectric field-effect transistor (FeFET) based AND array operation
Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Demonstration of bias scheme for ferroelectric field-effect transistor (FeFET) based AND array operation
- Date Crossref
- 01/06/2024
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Sogang University Department of Electronics Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronics Engineering — Sogang University, Georgia Institute of Technology et School of Electrical and Computer Engineering.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.