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2024 article

Latest Technology Trends in Power Semiconductor Devices

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2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Efforts to achieve carbon neutrality are accelerating in order to solve global warming, a worldwide environmental problem. Efficient use of electric energy requires improved performance, higher functionality, and higher quality of power semiconductor devices, which are key components. In recent years, as the performance of silicon (Si)-based power devices is approaching the theoretical limit, there is a strong need to not only improve performance by optimizing the structure, but also to fully exploit the performance of the devices through device-usage techniques. Silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) devices, which are wide bandgap semiconductors, are already in the market, but in addition to further improvement of their characteristics, improvement of their reliability and durability is also required. In this review, we will introduce the technical trends of power semiconductor devices, focusing on the latest papers.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Latest Technology Trends in Power Semiconductor Devices パワー半導体デバイスの最新動向
Date Crossref
01/03/2024
Éditeur
Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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