2023 conference-paper

Low N-Type Contact Resistance to Carbon Nanotubes in Highly Scaled Contacts through Dielectric Doping

Nathaniel S. Safron, Hsin‐Yuan Chiu, Tzu‐Ang Chao, Sheng‐Kai Su, M. Passlack, Kuang-Hsiang Chiu, Chien-Wei Chen, Chi‐Chung Kei, Chen‐Han Chou, Tsung-En Lee, Jer-Fu Wang, Chih-Sheng Chang, San‐Lin Liew, Vincent Hou, Han Wang, Wen‐Hao Chang, H.‐S. Philip Wong, Gregory Pitner, Chao‐Hsin Chien, Iuliana P. Radu

5Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

4Institutions déclarées

2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Low n-type contact resistance (RC) of 9.7 kΩ/CNT to carbon nanotubes (CNT) with short contact length (LC) of 20 nm is achieved by utilizing solid-state n- doping near the metal contact. AIN doping with barrier layer demonstrated in this work enables transparent electron conduction for both Pd and Ti metal contacts. We systematically explore doping strength control with barrier thickness, RCtrends scaling down to 20 nm LC, CNT bandgap dependence of doping, and device stability for insight into electrical impact of key process parameters. Symmetric RCn- and p-FET reveals a clear path to meet IRDS target for 2034 device roadmap.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Low N-Type Contact Resistance to Carbon Nanotubes in Highly Scaled Contacts through Dielectric Doping
Date Crossref: 09/12/2023
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (United States) pays non établi dans la notice
Entreprise
National Yang Ming Chiao Tung University Institute of Electronics pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) pays non établi dans la notice
Entreprise
National Institutes of Applied Research pays non établi dans la notice
Organisme public
Taiwan Instrument Research Institute National Applied Research Laboratories pays non établi dans la notice
Structure de recherche

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (United States), Institute of Electronics — National Yang Ming Chiao Tung University et Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan), avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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