Design of a Radiation-Tolerant Bandgap Voltage Reference for HEP applications
Rattachement africain : it, ch. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This work discusses the design of a bandgap voltage reference circuit to be operated in harsh radiation environments. The circuit, designed in a standard 28 nm CMOS technology with a core voltage supply of 0.9 V, exhibits in simulations an average output voltage of about 480 mV with an average temperature coefficient of 22 ppm/°C in the range [-40°C, 60°C]. Some preliminary results of the characterization are also presented.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Design of a Radiation-Tolerant Bandgap Voltage Reference for HEP applications
- Date Crossref
- 05/11/2022
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Bergamo pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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European Organization for Nuclear Research pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Università pays non établi dans la noticeInstitution
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CERN pays non établi dans la noticeInstitution
University of Bergamo, European Organization for Nuclear Research et Università, avec 1 autre affiliation.
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