Correction: Self-limiting stoichiometry in SnSe thin films
Rattachement africain : us, de, tr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Correction for ‘Self-limiting stoichiometry in SnSe thin films’ by Jonathan R. Chin et al. , Nanoscale , 2023, 15 , 9973–9984, https://doi.org/10.1039/D3NR00645J.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Correction: Self-limiting stoichiometry in SnSe thin films
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Pennsylvania State University Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Paul Drude Institute for Solid State Electronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Forschungsverbund Berlin pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Karamanoğlu Mehmetbey University Physics Department pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Paul-Drude Institut für Festkörperelektronik Berlin pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Georgia Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering — Pennsylvania State University et Paul Drude Institute for Solid State Electronics, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.