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2023 conference-paper

High Cleanliness and High Hydrophobic/Hydrophilic Contrast Done by Direct Wafer Bonding for Die-to-Wafer Self-Assembly

2Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We propose an innovative process with a high hydrophilic contrast for die-to-wafer self-assembly bonding. Dies and target wafer bonding surfaces first undergo a photolithography process to define bonding sites with a 15 µm step. An efficient cleaning is then performed for direct bonding surface preparation. A carrier is bonded to the bonding site to temporarily protect it during the hydrophobic treatment. After it, water contact angles of 18° and 110° are measured on bonding sites and on hydrophobic area, respectively. Finally, the self-assembly process compatibility is demonstrated with 8x8 mm² dies achieving alignment accuracy of less than 1 µm and excellent bonding interface quality.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
High Cleanliness and High Hydrophobic/Hydrophilic Contrast Done by Direct Wafer Bonding for Die-to-Wafer Self-Assembly
Date Crossref
29/09/2023
Éditeur
The Electrochemical Society
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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